英特尔射击人工智能已是显而易见的事情了，却是错失移动市场再加PC市场日益不给力，寻找有活力、有潜力的新兴市场实属情理之中的事情。但作为半导体IDM巨头，英特尔也没掉落制程工艺前进的事业，虽然目前看上去台积电、三星的制程更加领先，早已可以量产10nm，但别忘了去年夏天曾传出过的半导体生产巨头间的制程并不对等这一情况。英特尔制程更加先进设备？说道到制程就被迫托纳米（nm），那么什么是纳米呢？这是一个单位，也就是1米的十亿分之一。用一个指甲来不作比喻的话，那就是说试着把一片指甲的侧面小块10万条线，每条线就大约等同于1纳米，由此可稍微想像得到1纳米是何等的微小了。

就拿14nm制程来说，这里所指14nm的，是所指在芯片中，线大于可以做14纳米的尺寸，右图为传统电晶体的相貌，以此作为例子。增大电晶体的最主要目的就是为了要增加耗电量，然而要增大哪个部分才能超过这个目的？左右图中的L就是我们希望增大的部分。藉由增大闸极长度，电流可以用更加较短的路径从Drain末端到Source末端。　　英特尔14nm工艺与台积电、三星同代工艺较为但实质上线宽定义半导体工艺先进设备程度并不精确，更有意义的是栅极距（gatepitch）、鳍片间距（FinPitc）等，英特尔早前就对比过他们与台积电、三星的16、14nm工艺，如上图右图，英特尔的14nm工艺在这些关键指标上要比三星、台积电好得多，这两家的工艺只不过有些名不副实，领先Intel差不多半代水平。

三星、台积电在半导体工艺命名上输掉过了英特尔，这实质上是商业宣传的胜利，技术上打破英特尔还有严厉批评有异言不顺，对这个问题业界早前就有过争议了，不过这事是不是什么强制性约束，如何命名更好地是厂商自己的事，大家也不能听之任之了。在这样的背景下，英特尔昨天放了一条很有意思的文章：让我们清扫半导体工艺命名的恐慌吧。

文章的作者是MarkBohr，英特尔高级院士，也是处理器架构与构建部门的主管，可以说道是资深的业界专家了，他在这篇文章中就认为了业界在半导体工艺命名上的恐慌之态。当然，他的重点不是抨击现状，而是得出了一个更加合理的取决于半导体工艺水平的公式，如下图右图：英特尔得出的取决于半导体工艺先进设备程度的公式这个公式一挺简单的，Bohr院士认为取决于半导体工艺确实必须的是晶体管密度，这个公式分成两部分，一部分计算出来2bitNAND（4个晶体管）的密度，另一部分更加简单，计算出来的是SFF（scanflipflop）的晶体管密度，0.6和0.4两个数字是这两部分的权重系数。Bohr院士期望半导体厂商在讲解工艺节点时也应当发布逻辑芯片的晶体管密度，而且还有一个最重要的参数：SRAMcell单元面积，考虑到每家厂商的工艺都有所不同，在NAND+SFF密度之外最差还要独立国家发布SRAM面积。

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